第611章 国产光刻机的研发进程，至少缩短了十年！
自从星源科技与华科协会下属的光电所，联手研发出了『磁约束放电等离子体光源』（即MDP）技术后，便开始着手攻克光刻机的第二大技术壁垒——光学系统。
毕竟，单是『造出光』还不行，还得『用好这束光』，才能完成晶圆曝光，进而实现晶片的生产制造。
可让陈延森顿感无奈的是，国内EUV光源激发方式的主流研发方向，基本以雷射产生等离子体丶放电等离子体或者雷射诱导放电等离子体为主。
而星源科技光学部绝大多数工程师的技能和项目经验，都与研发需求不匹配。
所以在研发配套光学系统时，进度极为缓慢。
要知道，EUV光几乎会被所有物质吸收，因此无法使用传统的玻璃透镜，整个光路必须在真空环境中使用反射式光学系统。
收集镜丶照明系统丶投影物镜系统丶掩膜版和掩膜台都得设计配套的技术方案。
MDP-EUV光源技术确实走出了一条独特的新路，但这种创新并非没有代价。
一切障碍，都要自己去扫平。
陈延森在获悉光学部的研发进度后，立马就绝望了。
他心里清楚，若不给这帮人指条明路，恐怕五年丶十年，都没法往前迈出一步。
不得不说，他高估了林南团队的水平。
他没想到，这麽简单的配套技术方案，林南等人却在正确的路口边缘，足足蹭了四五十天，却无丝毫进展。
于是，陈延森在开发出脉思（Mass）V1.0后，又马不停蹄地设计出了「多壳层掠入射椭圆收集镜系统」。
这玩意本质上是一套精密的多层膜镜子，可以高效捕获EUV光源，并将其初步聚焦引导至照明系统里。
难点主要有两个：收集效率和抗损伤能力。
前者是因为EUV光线是向四面八方发散的，若想提升收集效率，就得设计复杂的多镜拼接结构，同时保证每片镜子的角度校准精度都要达到微米级。
然而，任何角度上的偏差都会导致光线漏失，从而影响到收集效率。
后者是因为等离子光源被激发后，会产生极高的温度，这就需要超强的抗损伤能力。
收集效率要求多层膜具备「薄丶匀丶纯丶无遮挡」等特性，以最大化反射率和角度适配性。
而抗损伤能力要求多层膜又得「厚丶硬丶耐侵蚀」，必须增加额外保护层的材料。
听起来很矛盾，但这也正是收集镜的技术难点所在。
陈延森设计的这套「多壳层掠入射椭圆收集镜系统」，便很好地平衡了收集效率与抗损伤能力。
不仅能够高效捕获由高功率脉冲放电丶轰击金属锡靶产生的13.5纳米EUV光，还能将其汇聚到远处的中间焦点，为后续的照明系统提供足发薪就能变强，我有十亿员工！(今月曾经照古河)最新章节手机访问：https://m.xtxtaikan.com/wapbook108259/50332677/