沐阳研究更新后的阅读系统两个多小时才研究透，兴奋得睡不着。
喝了一杯茶，他想看看芯片制造技术的核心设备：光刻机。
目前市场上，有两种主流光刻机，一个是duv光刻机，另一个是euv光刻机。duv是深紫外线（deepuvioletlithography），euv是极深紫外线（extreuvioletlithography)。
从制程范围来看，duv基本上只能做到25nintel凭借双工作台的模式做到了10n但是却无法达到10n下。
只有euv能满足10n下的晶圆制造，并且还可以向5n3n续延伸。
这个线宽其实就是跟光的线宽有关系，比如可见光的g线，那就是436n如果用来刻蚀，线路肯定很宽。
可以简单地认为，光刻机的光系统其实就是一支画笔，不同的光代表不同粗细大小的笔芯，越细的笔（光）能够画越细越复杂的画。
duv就是彩笔，euv就是中性笔，中性笔画的线条比较细，比较好用。
这么理解，也好理解光刻机到底如何刻蚀电路图了。
当前，国外品牌光刻机主要以荷蓝asml，岛国nikon和on三大品牌为主。
euv的价格是1—3亿美金／台，duv的价格为2000万—5000万美金／台不等。
目前先进的光刻系统就是euv光刻机，如果沐阳打算走euv光刻机路线，必然绕不开别人的技术专利保护范围。
因此，他只能寻找另外光种的光刻机，同时要考虑到光的分辨率、对准精度、方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等指标。
就说分辨率，如果制作出来的电路图模糊不清，那芯片肯定不好。
光刻机其它的指标，也可以比喻成画笔的性能就行了。
并不是说，沐阳不能搞光刻机了，只是说，再搞duv和euv光刻机，绕不开以上三家企业的技术专利保护范围。
所以，他只能另辟蹊径。
很久之前，沐阳就想到过电子束光刻机。
原本，再过几年，漂亮国的一个实验室研发出一套名为zylitho1的光刻系统，基于stm扫描隧道显微镜，使用的是ebl（e-beaithography）电子束光刻方式，制造出了0.7n宽的芯片，只是没法实现批量生产，或者成本高过。
沐阳相信，如果是技术成熟的电子束光刻机，线宽比0.7n小。
他在系统商店普通货架上默念「电子束光刻机」，很快，出几款相关技术。
沐阳选择适合自己公司的一款技术：ebl01
技术参数：
1.最小线宽：小于1nbr/>
2.加速电压：5—500kv
3.电子束直径：小于0.5nbr/>
4.套刻精度：1nan＋0.20）
5.拼接精度：1nan＋0.20）
6.加工晶圆尺寸：4—18英寸
7.描电镜分辨率：小于0.2nbr/>
主要特点：
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